МДП
полевые
структуры обедненного
и
обогащенного
типа.
Биполярные
структуры n-p-n и
p-n-p. Параметры и
характеристики.
Адрес документа: |
http://90.189.213.191:4422/temp/sibguti_datchiki_all/5_elektronika/lek_1_mdp/lek_1_mdp.doc инд: 2-128-1-5 |
Адрес документа2: |
|
Примеры по теме |
|
Протеус-7 портабельнный |
|
Work_Bench |
Адрес (редактор старого типа без МК архив с примерами ) |
Редакторы графиков и оформления |
Полевые транзисторы ¾ это усилительные и переключательные полупроводниковые приборы, ток в которых управляется электрическим полем и обусловлен дрейфовым движением основных носителей.
Биполярный транзистор - электронный полупроводниковый прибор, состоящий из трех слоев полупроводника с чередующимся типом электропроводности.
Классификация параметры и характеристики
Практическое задание-1 – ПЗ1 Построение ВАХ диода.
Используя файл проекта диода Pcvc04.DSN добавить вольтметр и получить таблицу зависимости напряжения и тока. Построить график зависимости.
Шаг дискретности напряжения 0.1 Вольта.
Ниже на gif- рисунке показано подключение вольтметра.
Контрольные вопросы:
Внимание! Рекомендуется посмотреть правила оформления переписки по адресу.
Оценки на 3:
Оценки на 4:
Оценки на 5:
Отчет по ПЗ должен содержать:
Литература.
Автор - Шабронов Андрей Анатольевич тс. +7-913-905-8839 e_mail - shabronov@yandex.ru
ред.2025-2-11 Успехов и здоровья!